10月15日-16日，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、儀器信息網(wǎng)聯(lián)合主辦首屆“半導(dǎo)體材料與器件研究與應(yīng)用”網(wǎng)絡(luò)會(huì)議(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)，22位業(yè)內(nèi)知名的國(guó)內(nèi)外專家學(xué)者聚焦半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)方向，進(jìn)行為期兩日的學(xué)術(shù)交流。會(huì)議期間，中科院半導(dǎo)體所、集成電路工程研究中心的王曉東研究員做了題為《半導(dǎo)體微納加工中的硅干法刻蝕技術(shù)》的報(bào)告殺孢子劑多少錢。 硅干法刻蝕即等離子體刻蝕技術(shù)，相對(duì)于濕法刻蝕，具有更好的各向異性，工藝重復(fù)性，且能降低晶圓污染幾率，因此成為了亞微米下制備半導(dǎo)體器件最主要的刻蝕方法。在此次報(bào)告中，王曉東研究員介紹了三種不同的硅干法刻蝕技術(shù)。 據(jù)介紹，硅干法刻蝕的物理機(jī)制，主要包括物理濺射刻蝕、純化學(xué)刻蝕、化學(xué)離子增強(qiáng)刻蝕和側(cè)壁抑制刻蝕等。影響硅干法刻蝕效果的因素主要有三類：一是等離子體密度和能量，通過(guò)配備兩套射頻源，ICP和RF射頻源來(lái)分別控制；二是腔室氣壓，由于鞘層的存在，一般需要?dú)鈮盒∮?00 mtorr使得離子平均自由程大于鞘層寬度；三是刻蝕氣體選擇，氣體需要根據(jù)反應(yīng)生成物是否容易去掉來(lái)選擇，首選揮發(fā)性產(chǎn)物。 王曉東研究員重點(diǎn)介紹了三種硅干法刻蝕技術(shù)，即Bosch、Cryo、Mixed。Bosch通?？涛g特征尺寸＞1 μm，刻蝕深度＞10 μm，刻蝕結(jié)果深且寬，即深硅刻蝕；Cryo即所謂的低溫工藝，可以得到平滑側(cè)壁以及納米尺寸結(jié)果殺孢子劑多少錢；Mixed刻蝕深度＜10 μm，具有低的深寬比，也即淺硅刻蝕。